LET-5000半導體測試系統是一款測量與分析功率半導體器件靜態參數的專用儀器，為所有類型的功率半導體器件提供靜態參數測量解決方案。
LET-5000半導體測試系統能在2200V（可擴展為8000V）和1000A （可擴展為6000A）的條件下實現精確測量、分析功率半導體器件的靜態參數。
LET-5000具有快脈沖能力，并具有優異的寬電壓和電流測量能力。
這些功能能夠對的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）進行測量，可以測試器件包括：MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。
LET-5000由多個獨立的高精度源組成，每個功率源模塊上配備兩個獨立的模數(AD)轉換器支持2µs采樣率，每個模塊上的驅動能夠獨立精確控制，對有可能影響器件特性的關鍵計時進行精確監測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA 級漏電流測量能力等特點，支持高壓模式下功率器件結電容測試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
被測對象及主要測試參數
被測對象 | 主要測試參數 |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二極管 |
雙極 | Ic-Vc、二極管、Gummel 圖、擊穿、hfe、電容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容、QSCV等 |
內存 | Vth、電容、耐久測試等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,電容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),擊穿 |
太陽能電池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特圖、DLCP 等。 |
納米器件 | 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 電流衰減、Id-Vds 電流衰減、二極管電流 |
LET-5000系統參數：
集電極-發射極
測量電壓：
標配：2200V
選件1：3500V
選件2：8000V
測量電流：
標配：1000A
選件1：2000A
選件2：3000A
選件3：4000A
選件4：5000A
選件5：6000A
精度：0.10%
漏電流測試范圍：1nA~100mA
柵極-發射極
電壓：300V
電流：10A
精度：0.05%
電壓分辨率：30μV
電流分辨率：10pA
電容測試精度：0.50%
頻率范圍：10Hz-1MHz
電容值范圍：0.01pF-9.9999F
訂貨規格：
LET-5210 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-1000A
LET-5220 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-2000A
LET-5230 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-3000A
LET-5240 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-4000A
LET-5250 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-5000A
LET-5260 電壓范圍：0-2200V，電流范圍：0-6000A
LET-5310 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-1000A
LET-5320 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-2000A
LET-5330 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-3000A
LET-5340 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-4000A
LET-5350 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-5000A
LET-5360 電壓范圍：0-3500V，電流范圍：0-6000A
LET-5810 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-1000A
LET-5820 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-2000A
LET-5830 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-3000A
LET-5840 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-4000A
LET-5850 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-5000A
LET-5860 電壓范圍：0-8000V，電流范圍：0-6000A
