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廣州文明機電有限公司
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JBX-6300FS的電子光學系統在100kV的加速電壓下能自動調整直徑為（計算值）2.1nm的電子束，簡便地描畫出線寬在8nm以下（實際可達5nm）的圖形。 此外，該光刻系統還實現了9nm以下的場拼接精度和套刻精度，性能比。 利用最細電子束束斑（實測值直徑≦2.9
JBX-6300FS的電子光學系統在100kV的加速電壓下能自動調整直徑為（計算值）2.1nm的電子束，簡便地描畫出線寬在8nm以下（實際可達5nm）的圖形。
此外，該光刻系統還實現了9nm以下的場拼接精度和套刻精度，性能比。
利用最細電子束束斑（實測值直徑≦2.9nm）可以描畫8nm以下(實際可達5nm)極為精細的圖形。本公司的ＤＦ/DS系統能對電子束偏轉產生的畸變進行校正，具有球差和象散自動補償功能，可在場邊角、場邊界處進行高精度地描畫。
該系統采用了19位DAC和樣品臺控制精度為0.6nm的激光干渉儀，實現了業界水準的位置精度、拼接、套刻精度（±9nm）。 可用于位置精度要求很高的光子器件、通信設備等領域的研究和開發。
本公司獨自的自動校正功能(自動補償功能)，實現了可信賴的長時間穩定地描畫。自動補償可以根據時間（任意的）、場和圖形進行分別設定，非常適合于周末及休假等無人值守等情況下的長時間描畫。
掃描速度高達50MHz，再加上地抑制了機器的準備操作時間，因此縮短了描畫時間，到描畫開始為止的作業非常簡單，聚焦也能夠自動進行，因而能提高總產出量。
使用自動裝載系統（選配），最多可以連續描畫10個樣品架。（例：可連續描畫10張6英寸的晶圓片或者40張2英寸的晶圓片等。※連續描畫時，需要和材料數相應的樣品架。）目前在日本國內外已有這樣的生產線。
利用微間距控制程序（場尺寸精調程序），可以制作DFB激光器等的啁啾光柵。
| 電子槍 | ZrO/W 肖特基型 |
|---|---|
| 描畫方式 | 描畫方式 |
| 加速電壓 | 25kV (選配), 50kV, 100kV |
| 樣品尺寸 | 200mmΦ的晶圓片, 5英寸或 6英寸的掩模版, 任意尺寸的的微小樣品。 |
| 樣品尺寸 | 2000μmＸ2000μm |
| 樣品臺移動范圍 | 190mmX170mm |
| 套刻精度 | ≦±9nm |
| 場拼接精度 | ≦±9nm |
| 掃描速度 | 50MHz |
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