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JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm節點的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統。 的技術實現了高速、高精度和高可靠性。 是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復式的光刻系統?
JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm節點的掩模版/中間掩模版(mask/reticle)的可變矩形電子束光刻系統。
的技術實現了高速、高精度和高可靠性。是基于加速電壓50 kV的可變矩形電子束和步進重復式的光刻系統
利用步進重復式曝光的優點,結合曝光劑量調整功能及重疊曝光等功能,能支持下一代掩模版/中間掩模版(mask/reticle)圖形制作所需要的多種補償。
拼接精度 | ≦±3.5 nm |
套刻精度 | ≦±5 nm |
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