PILATUS3 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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產(chǎn)品型號(hào)PILATUS3 R CdTe

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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北京泰坤工業(yè)設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PILATUS3 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

詳細(xì)介紹

1、產(chǎn)品特點(diǎn)：

PILATUS3 R CdTe系列結(jié)合了無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和在大型碲化鎘（CdTe）傳感器中直接檢測(cè)硬X射線的優(yōu)點(diǎn)。
      與閃爍體的檢測(cè)器相比，混合像素中的直接檢測(cè)產(chǎn)生更銳利的信號(hào)和更好的空間分辨率。 CdTe為Mo，Ag和In輻射提供接近100％的吸收效率。結(jié)合無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)，這將實(shí)驗(yàn)室中的X射線檢測(cè)帶入了一個(gè)新的靈敏度和準(zhǔn)確度水平。
      實(shí)驗(yàn)室中的X射線源，尤其是硬X射線的X射線源比同步加速器弱得多，因此需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間并導(dǎo)致較弱的信號(hào)，由于沒(méi)有暗電流和讀出噪音，PILATUS3 R探測(cè)器超過(guò)了實(shí)驗(yàn)室的所有其他技術(shù)。單光子計(jì)數(shù)不含所有其他噪聲源以及CMOS電容檢測(cè)器內(nèi)置的不準(zhǔn)確性，例如復(fù)位噪聲和非線性電荷響應(yīng)。相反，由DECTRIS Instant Retrigger Technology提供動(dòng)力的計(jì)數(shù)電子設(shè)備？結(jié)合精確的計(jì)數(shù)率校正提供寬泛的線性范圍，兼容所有實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用和的X射線源。
       具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用（如電荷密度研究和配對(duì)分布函數(shù)分析）依靠硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù)，PILATUS3 R CdTe探測(cè)器系列提供了高效直接探測(cè)和無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的組合，并且是實(shí)驗(yàn)室中這些要求的匹配。

2、核心優(yōu)勢(shì)
     - Mo，Ag和In量子效率> 90％
     - 直接檢測(cè)最清晰的空間分辨率
     - 沒(méi)有讀出噪音，也沒(méi)有黑暗信號(hào)達(dá)到精度
     - 高動(dòng)態(tài)范圍
     - 熒光背景抑制
     - 的計(jì)數(shù)率
     - 同步輻射證明的輻射硬度
     - 免維護(hù)運(yùn)行
     - 高可靠性：沒(méi)有容易發(fā)生故障的密封或復(fù)雜，冷卻至室溫以下

3、應(yīng)用領(lǐng)域
     - 電荷密度分析
     - 配對(duì)功能（PDF）分析
     - 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
     - 高壓/高溫XRD
     - 關(guān)鍵尺寸SAXS
     - 計(jì)算機(jī)斷層掃描（CT）
     - 無(wú)損檢測(cè)（NDT）

4、技術(shù)參數(shù)：

PILATUS3 R CdTe	300K	300K-W
探測(cè)器模塊數(shù)量	1 × 3	3 x 1
有效面積：寬×高 [mm2]	83.8 × 106.5	253.7 x 33.5
像素大小 [μm2]	172 x 172
總像素?cái)?shù)量	487 × 619	1475 × 195
間隙寬度, 水平/垂直（像素） *每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素	- */ 17	7* / -
非靈敏區(qū) [ % ]	5.7	1.1
缺陷像素	< 0.1%
幀頻 [Hz]	20
讀出時(shí)間 [ms]	7
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)	1 pixel（FWHM）
計(jì)數(shù)器深度	20 bits（1,048,576 counts）
功耗 [W]	30
尺寸（WHD）[mm3]	158 x 193 x 262	280 x 62 x 296
重量 [kg]	7.5	7.0
模塊冷卻	水冷
外接觸發(fā)電壓	5V TTL

關(guān)鍵詞：傳感器

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