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JSM-7200F 熱場發射掃描電子顯微鏡

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更新時間:2024-08-06 07:54:52瀏覽次數:89次

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產品簡介

JSM-7200F的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-JSM-7800F Prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術,標配了TTLS系統(Through-The-Lens System),因此無論是在高/低加速電壓下,空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。

詳細介紹

  • JSM-7200F的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-JSM-7800F Prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術,標配TTLS系統(Through-The-Lens System),無論是在高/低加速電壓下,空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。此外,保證300nA的束流,能兼顧高分辨率觀察和高通量分析,具有充實的自動功能和易用性,是新一代的多功能場發射掃描電鏡。

  • <特點>

  • JSM-7200F的主要特點有:應用了浸沒式肖特基電子槍技術的電子光學系統;利用GB(Gentle Beam 模式)和各種檢測器在低加速電壓下能進行高分辨觀察和選擇信號的TTLS系統(Through-The-Lens System);電磁場疊加的混合式物鏡。

  • 浸沒式肖特基電子槍

  • 浸沒式肖特基場發射電子槍為日本電子的技術,通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優化,能有效利用從電子槍中發射的電子,即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。

  • TTLS(through-the-lens系統)

  • TTLS(through-the-lens系統)是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統。 利用GB(Gentle Beam 模式)通過給樣品加以偏壓,對入射電子有減速、對樣品中發射出的電子有加速作用,即使在低加速電壓(入射電壓)下,也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。 
    此外,利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓,可以調節二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下,用高位檢測器(UED)就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子,可以用高位二次電子檢測器(USD,選配件)檢測出來,因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。

  • 混合式物鏡(電磁場疊加)

  • JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發的混合式透鏡。 
    這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡,比傳統的out-lens像差小,能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以觀察和分析磁性材料樣品。

  • 應用實例

  •  利用混合式物鏡、GB(Gentle Beam 模式)進行觀察的實例

  • 利用低像差的混合式物鏡和GB 模式,即使對不導電樣品也能在極低的加速電壓下進行高分辨率成像。

  • 樣品: 介孔二氧化硅 (中國上海交通大學車順愛教授)

  • ◇ 使用高位檢測器(UED)、能量過濾器進行觀察的實例

  • 下圖是利用UED在低加速電壓條件下獲得的背散射電子像。由于是大角度散射電子成像,成份信息非常豐富,但加速電壓為0.8kV比在5kV時的測試,能獲得更細微的淺表面信息。象這樣在極低加速電壓下要獲取樣品淺表面的背散射電子成份像,不僅需要高位檢測器,還需要用來去除二次電子的能量過濾器。

    樣品:鍍金表面,   能量過濾器: -250 V 


JSM-7200FJSM-7200FLV
分辨率1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV)1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV),1.8nm (30kV,  LV )
放大倍率×10~×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960pixels display);
加速電壓0.01kV~30kV
束流1pA~300nA
自動光闌角控制透鏡ACL內置
大景深模式內置
檢測器高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED)
樣品臺5軸馬達驅動樣品臺
樣品移動范圍X:70mm  Y:50mm  Z:2mm~41mm 傾斜-5~+70°  旋轉360°
低真空范圍-10pa~300pa
  • 主要選配件

  • 可插拔式背散射電子探頭(RBED)

  • 高位二次電子探頭(USD)

  • 低真空二次電子探頭(LV-SED)

  • 能譜儀(EDS)

  • 波譜儀(WDS)

  • 電子背散射衍射系統(EBSD)

  • 陰極熒光系統(CLD)

  • 樣品臺導航系統(SNS)

  • 電子束曝光系統

關鍵詞:波譜儀
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