一、背景介紹
 

　　當(dāng)前，由美國開啟的“硅基微電子時代”相對成熟，但中國在基于硅基CMOS技術(shù)的傳統(tǒng)芯片產(chǎn)業(yè)一直被西方“卡脖子”。碳基半導(dǎo)體被認(rèn)為是后摩爾時代的顛覆性技術(shù)之一，也是我國唯一在半導(dǎo)體領(lǐng)域突破點！
 

　　碳基半導(dǎo)體是一種在碳基納米材料基礎(chǔ)上發(fā)展的，以碳納米管(CNT)、石墨烯為代表的半導(dǎo)體材料。ITRS研究報告曾明確指出，未來半導(dǎo)體行業(yè)的研究重點應(yīng)聚焦于碳基電子學(xué)。同時，碳基材料的技術(shù)突破也為柔性電子提供了更好的材料選擇。
 

　　另外，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正在憑借優(yōu)秀的材料特性迅速崛起，成為"十四五"規(guī)劃中重點發(fā)展的方向和如期實現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的重要抓手，在高頻高功率應(yīng)用、市場規(guī)模不斷擴大，正成為全球半導(dǎo)體行業(yè)的研究熱點，現(xiàn)代工業(yè)中的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，廣泛用于光伏發(fā)電、半導(dǎo)體、消費電子、高度創(chuàng)新的芯片半導(dǎo)體、5G通信、通訊衛(wèi)星及軍用雷達(dá)等高新技術(shù)領(lǐng)域。
 

　　但現(xiàn)階段，碳基半導(dǎo)體如何從實驗室的“玻璃房”走出，將自身的潛力真正發(fā)揮出來，仍然是業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點與面臨的難點。其應(yīng)用探索至關(guān)重要！
 

　　二、組織機構(gòu)
 

　　主辦單位：DT新材料
 

　　承辦單位：寧波德泰中研信息科技有限公司
 

　　支持單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
 

　　寧波晶鉆工業(yè)科技有限公司
 

　　支持媒體：Carbontech、DT半導(dǎo)體材料、TechWeb、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、全球
 

　　半導(dǎo)體觀察、化合物半導(dǎo)體、芯師爺、半導(dǎo)體芯科技、電巢、半導(dǎo)體
 

　　行業(yè)觀察、活動家、《半導(dǎo)體技術(shù)》、《微納電子技術(shù)》
 

　　三、會議信息與論壇亮點
 

　　論壇時間：2022年5月14日(暫定)
 

　　論壇地點：浙江·寧波
 

　　論壇目的：以碳基半導(dǎo)體為切入點，開辟新型半導(dǎo)體道路，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，推動“中國芯”發(fā)展
 

　　論壇亮點：推動產(chǎn)學(xué)研合作，科研指導(dǎo)產(chǎn)業(yè)方向、產(chǎn)業(yè)加速科研進展，相輔相成
 

　　四、特色活動
 

　　碳基芯片國產(chǎn)化內(nèi)部研討會
 

　　參考話題：(不局限于如下話題)

　　需求對接：需求發(fā)布，意向采購，對接技術(shù)與企業(yè)，促進產(chǎn)學(xué)研交流合作
 

　　墻報展示：墻報尺寸80cm寬×120cm高，分辨率大于300dpi
 

　　特色展位：相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品、設(shè)備展示
 

　　參考話題
 

　　(不局限以下話題)
 

　　(一) 碳基納米材料半導(dǎo)體與器件
 

　　1、碳基CMOS晶體管和集成電路的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)
 

　　2、高純度、半導(dǎo)體超長碳納米管的控制制備、分離及器件應(yīng)用
 

　　3、大面積均勻的CNT陣列薄膜的批量化制備
 

　　4、單壁碳納米管選擇性生長的機制研究
 

　　5、基于陣列碳納米管的射頻晶體管器件
 

　　6、石墨烯晶圓的規(guī)模制備與應(yīng)用探索
 

　　7、石墨烯拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)調(diào)整與半導(dǎo)體器件
 

　　8、石墨烯超窄納米帶金屬線與封裝散熱
 

　　9、石墨烯太赫茲器件、石墨烯高性能射頻晶體管
 

　　10、石墨烯在柔性電子器件、優(yōu)化芯片散熱、三維集成電路、更小尺寸芯片等應(yīng)用
 

　　11、原子級規(guī)整結(jié)構(gòu)的全碳電子器件的制備技術(shù)
 

　　12、高性能納米碳基電子器件產(chǎn)業(yè)化探索
 

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　　(二) (超)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件
 

　　1、新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機遇與挑戰(zhàn)并存
 

　　2、新型寬禁帶半導(dǎo)體材料及應(yīng)用
 

　　3、SiC大尺寸襯底、外延生長工藝、技術(shù)進展與趨勢
 

　　4、SiC、金剛石大單晶設(shè)備的制造技術(shù)及國產(chǎn)化進程
 

　　5、碳化硅高壓功率器件制造關(guān)鍵技術(shù)難點分析
 

　　5、金剛石大單晶、晶圓的制備
 

　　6、半導(dǎo)體金剛石光電性質(zhì)研究與器件、寬禁帶半導(dǎo)體光電器件
 

　　金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件
 

　　7、SiC/金剛石襯底與GaN器件結(jié)合應(yīng)用拓展
 

　　8、碳基半導(dǎo)體在5G芯片、微波、功率器件、射頻電子器件等方面的應(yīng)用
 

　　9、金剛石量子芯片材料和器件技術(shù)
 

　　10、碳基芯片散熱器件與電子封裝
 

　　11、金剛石在半導(dǎo)體激光器中的應(yīng)用
 

　　12、CVD金剛石熱沉封裝高功率半導(dǎo)體激光器
 

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　　(三)碳基器件與柔性電子
 

　　1、碳基芯片
 

　　2、碳基信息存儲
 

　　3、納米碳基柔性能量轉(zhuǎn)換和儲存器件
 

　　4、碳基人工視覺傳感陣列
 

　　5、碳基混合光電子器件
 

　　6、碳基超快光電子學(xué)
 

　　7、碳基柔性電子材料與高性能器件
 

　　8、柔性印刷碳基電子器件和電路
 

　　9、全印刷制備柔性薄膜晶體管陣列技術(shù)
 

　　10、5G時代柔性線路板的發(fā)展趨勢
 

　　11、柔性薄膜與傳感器
 

　　12、碳基柔性可穿戴電子材料與設(shè)備
 

　　13、碳基柔性電子技術(shù)與集成智能傳感
 

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　　(四)先進封裝技術(shù)與先進測量技術(shù)
 

　　1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)
 

　　2、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進封裝領(lǐng)域材料和解決方案
 

　　3、第三代半導(dǎo)體封裝模組技術(shù)及相關(guān)應(yīng)用
 

　　4、三維集成電路工藝
 

　　5、3D封裝、SIP技術(shù)
 

　　6、半導(dǎo)體封裝測試技術(shù)及設(shè)備
 

　　7、半導(dǎo)體微納加工
 

　　8、半導(dǎo)體襯底切割、研磨、拋光、清洗等關(guān)鍵技術(shù)與裝備
 

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